Исследования проводили с целью определения возможности предпосевной обработки семян ячменя низкоэнергетическим электронным излучением для улучшения ростовых процессов и снижения поражения фитопатогенами. В лабораторном эксперименте изучали воздействие низкоэнергетического (160 кэВ) электронного излучения в дозах 1, 3 и 5 кГр при мощности дозы 500 Гр/имп. на посевные качества, морфометрические показатели проростков, пораженность грибными болезнями на естественном инфекционном фоне, а также на активность ферментов и концентрацию фитогормонов в 7-и суточных проростках. В контроле семена не облучали. Обработка дозой 3 кГр вызвала статистически значимое увеличение, по сравнению с контролем, лабораторной всхожести на 6 % и силы роста семян - на 10 %. Облучении в дозах 1 и 5 кГр не оказало влияния на величины этих показателей. В вариантах с дозой 1 и 5 кГр происходило увеличение длины ростка, по сравнению с контролем, на 6,8…8,2 %, корешка - на 5,9…24,6 %. Доза 3 кГр не влияла на величины этих показателей. Облучение не оказало значительного воздействия на сырую и сухую массу проростков и содержание в них воды. Обработка семян электронным излучением полностью подавляло развитие Penicillium spp. при дозах 1, 3 и 5 кГр, Fusarium spp. - при дозах 3 и 5 кГр, но значительно увеличивало пораженность проростков Bipolaris sorokiniana в 2,1 раза и ее распространенность в 1,8 раза при дозе 5 кГр. Облучение не оказало влияния на активность большинства ферментов и фитогормонов в проростках, кроме повышения содержания ИУК в 1,5 раза при дозе 5 кГр и ИМК в 2,7 раза при дозе 1 кГр, по сравнению с контролем.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation